Новый вид памяти может произвести переворот в компьютерной индустрии и привести к появлению искусственного интеллекта. MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология компьютерной памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают достоинствами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и FLASH — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т.е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания микросхемы Crocus MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с низкой стоимостью и энергонезависимостью FLASH.